深圳市毅创辉电子科技有限公司

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STGW40H65DFB原装现货
STGW40H65DFB原装现货
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STGW40H65DFB原装现货

封装 / 箱体::

TO-247-3

Pd-功率耗散::

283 W

集电极最连续电流 Ic::

40 A

栅极—射极漏泄电流::

250 nA

产品信息

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制造商:

STMicroelectronics

 

产品种类:

IGBT 晶体管

 

RoHS:

 详细信息

 

技术:

Si

 

封装 / 箱体:

TO-247-3

 

安装风格:

Through Hole

 

配置:

Single

 

集电极射极饱和电压:

1.8 V

 

25 C的连续集电极电流:

80 A

 

Pd-功率耗散:

283 W

 

系列:

STGW40H65DFB

 

封装:

Tube

 

商标:

STMicroelectronics

 

栅极射极漏泄电流:

250 nA

 

产品类型:

IGBT Transistors

 

工厂包装数量:

600

 

子类别:

IGBTs

 

单位重量:

38 g

 

毅创辉电子成立2008年,拥有14年供货经验,主营ALTERA XILINX

 

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