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深圳市金嘉锐电子有限公司
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产品信息
制造商: Microchip
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-89-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 450 V
Id-连续漏极电流: 200 mA
Rds On-漏源导通电阻: 20 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
工作温度: + 150 C
封装: Reel
通道模式: Depletion
商标: Microchip Technology
配置: Single
下降时间: 30 ns
高度: 1.6 mm
长度: 4.6 mm
工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 1.6 W
产品: MOSFET Small Signal
上升时间: 30 ns
工厂包装数量: 2000
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: FET
典型关闭延迟时间: 30 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
宽度: 2.6 mm
单位重量: 52.800 mg
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-89-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 450 V
Id-连续漏极电流: 200 mA
Rds On-漏源导通电阻: 20 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
工作温度: + 150 C
封装: Reel
通道模式: Depletion
商标: Microchip Technology
配置: Single
下降时间: 30 ns
高度: 1.6 mm
长度: 4.6 mm
工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 1.6 W
产品: MOSFET Small Signal
上升时间: 30 ns
工厂包装数量: 2000
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: FET
典型关闭延迟时间: 30 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
宽度: 2.6 mm
单位重量: 52.800 mg